삼성전자가 세계 최초로 20나노급(1나노: 10억분의 1미터) LPDDR2(Low Power Double Data Rate 2) 4기가비트(Gb) 모바일 D램을 공급하며 4기가비트 메모리 시장 확대에 나선다.
최근 쿼드코어 CPU를 탑재한 스마트폰 및 대화면 태블릿 등 고성능 모바일 기기들이 모바일 시장 성장을 주도함에 따라 더 빠른 처리 속도는 물론 장시간 배터리를 사용할 수 있는 저전력 대용량 메모리에 대한 기대치가 갈수록 높아지고 있다.
이에 따라 삼성전자는 이러한 고객의 요구에 대응할 수 있는 초절전 고성능 메모리로서 금년 3월 20나노급 8GB DDR3 노트북 모듈 양산에 이어, 지난 달부터 20나노급 4Gb LPDDR2 D램을 양산하며 업계 최대 프리미엄 4Gb D램 라인업을 확보했다.
세계 최초로 양산한 20나노급 4Gb D램 제품군은 세계 최고의 ‘초박형’, ‘대용량’, ‘고성능’ 모바일 솔루션을 확보함은 물론 최소 칩 사이즈로 울트라슬림 디자인을 가능하게 하여, 엔터프라이즈 및 모바일 제조 업체들이 새롭게 출시하는 차세대 시스템의 우월성을 확보하는 핵심 요소로 자리잡았다.
삼성전자는 작년 3월 30나노급 4Gb LPDDR2 D램을 양산하며 모바일 메모리를 최대용량인 2GB까지 확대시킨 바 있다.
이번에 최소 칩사이즈인 20나노급 4Gb LPDDR2 양산으로 업계 유일하게 차세대 울트라 슬림 모바일기기에 적합한 초박형 0.8mm 2GB LPDDR2를 공급한 것은 30나노급 모바일 D램에 이어 20나노급 모바일 D램에서 더욱 확고한 경쟁 우위를 확보함으로써 모바일 메모리 시장을 지속 주도해 나가게 된 것이다.
20나노 4Gb 모바일 D램을 4단 적층한 16Gb(2GB) 제품은 30나노 4Gb D램 4단 적층 제품에 비해 두께는 20% 줄었으며, 최대 1,066Mbps 동작 속도 및 동일한 소비 전력을 구현하여 4Gb 시장을 더욱 빠르게 성장시킬 것으로 전망된다.
삼성전자 메모리사업부 홍완훈 부사장은 “작년에 업계 최초로 30나노급 4Gb D램 양산으로 4Gb D램 시장을 본격 확대했고 금년에 20나노급 4Gb 양산으로 프리미엄 메모리 시장을 더욱 차별화시킬 수 있게 됐다”며, “올 하반기에는 20나노급 D램 비중을 지속 늘리면서 4Gb D램을 메인 제품으로 자리 잡도록 하여 프리미엄 시장을 선점하고 경쟁력 우위를 더욱 강화해 나갈 것이다”라고 밝혔다.
시장 조사 기관, 아이서플라이에 따르면 4Gb D램은 2011년부터 시장을 확대, 2012년 13%, 2013년 49%, 2014년에는 전체 생산 비중을 63%까지 확대되어 시장의 주력 제품으로 성장할 것으로 전망하고 있다.
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